IGBT dies(1.2 kV)
Size AxB
mm
Thickness
μm
Vss
(V)
lc
(A)
lcm
V typ.
125 ℃
Max. dies per wafer (W)
or tray (T)
5SMY 76H128O
5SMY 86H1280
5SMY 76J1280
5SMY 86J1280
5SMY 76K1280
5SMY 86K1280
5SMY 76M128O
5SMY 86M1280
IGBT dies(1.7 kV)
5SMY 76J1732
5SMY 86J1732
5SMY 76K1722
5SMY 86K1722
Diode dies(1.2kV)
(V) typ.
5SLY 76E1200
5SLY 86E1200
5SLY 76F1200
5SLY 86F1200
5SLY 76G12OO
5SLY 86G1200
5SLY 76J1200
5SLY 86J1200
(1.7 kV)
SixeAxB
5SLY 86M1700
5SLY 12M17OO
69 (W)
25 (T)